1T-TaS2 中关联电子态间的三维电阻切换
介观与纳米尺度物理
2016-03-22 v1 材料科学
强关联电子
摘要
最近在复杂材料中通过脉冲电磁扰动实现不同有序宏观态之间受控切换的演示，引发了关于导致此种显著行为的机制的一些基本问题。在此，我们通过实验探讨以下问题：在层状二硫化钽 (1T-TaS2) 中，不同电子序态之间的异常切换是由二维 (2D) 莫特物理引起的，还是其螺旋堆叠结构的层间轨道电子重排序的微妙结果。我们报道了通过电流脉冲注入在面内和垂直于层方向上的切换特性、公度基态中电子传输的各向异性，以及被切换亚稳态的弛豫特性。与近期理论计算（预测垂直于层方向为单向金属）相反，我们在此方向观察到较大的电阻率，且具有温度依赖的各向异性。值得注意的是，在面内 (IP) 和面外 (OP) 的忆阻切换中均观察到大的电阻比。面内和面外电子传输的亚稳态弛豫动力学似乎由相同的介观量子重排序过程支配。我们得出结论：1T-TaS2 展现出源于面内和面外关联共同作用的电阻切换。
引用
@article{arxiv.1603.06214,
title = {Three-dimensional resistivity switching between correlated electronic states in 1T-TaS2},
author = {Damjan Svetin and Igor Vaskivskyi and Serguei Brazovskii and Dragan Mihailovic},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.06214},
year = {2016}
}
备注
24 pages including 5 figures