中文

1$T$-TaS$_2$中超快电子结构工程:掺杂与振幅模动力学的作用

强关联电子 2025-04-29 v1

摘要

在强相关过渡金属化合物中,极性扭曲、堆积结构与电子关联之间的相互作用决定了绝缘态的性质。本文研究了化学电子掺杂对这一复杂相互作用的影响。通过亚瞬时时间分辨光电子谱学测量原始及掺杂的1TT-TaS2_2的电子结构响应,并与基于非平衡动力学均值场理论和密度泛函理论的理论建模进行比较。电荷密度波振幅模的振荡信号细微变化表明库仑相互作用和轨道跳跃发生了取决于相位的修改。此外,我们发现掺杂系统中单层数比例的增强。本工作表明,时间分辨光谱学与先进理论建模的结合为理解相关过渡金属化合物的物理提供了洞见。

关键词

引用

@article{arxiv.2504.19961,
  title  = {Ultrafast Electronic Structure Engineering in 1$T$-TaS$_2$: Role of Doping and Amplitude Mode Dynamics},
  author = {J. Jayabalan and Jiyu Chen and Laura Pätzold and Francesco Petocchi and Florian K. Diekmann and Negar Najafianpour and Ping Zhou and Walter Schnelle and Gesa-R. Siemann and Philip Hofmann and Kai Roßnagel and Tim Wehling and Martin Eckstein and Philipp Werner and Uwe Bovensiepen},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2504.19961},
  year   = {2025}
}

备注

7 pages, 5 figures