1T-TaS2中单轴应变驱动的层间堆垛修饰与绝缘体到关联金属转变
强关联电子
2025-09-03 v1
摘要
层间耦合在 1-TaS 的复杂电子性质中作用显著，但其与电子关联的相互作用仍不明晰。本文中，我们采用角分辨光电子能谱（ARPES）揭示单轴应变工程对 1-TaS 电子结构与层间耦合的影响。通常的绝缘基态在应变下转变为关联金属相，这由费米能级处窄带的出现所证实。温度依赖的 ARPES 测量表明，金属行为仅在公度电荷密度波（CCDW）转变以下才发展出来，而在未应变样品中层间二聚化产生带绝缘体。电子结构计算表明，该关联金属行为由一种先前预测但未被观测到的体相堆垛结构所稳定，该结构具有经修饰的 Ta d 电子层间耦合。我们的综合方法揭示了关联与层间耦合在 1-TaS 中的作用，为理解该关联物理平台材料中压力下的超导性及非平衡协议诱导的亚稳隐相提供了关键依据。
引用
@article{arxiv.2204.05598,
title = {Modified interlayer stacking and insulator to correlated-metal transition driven by uniaxial strain in 1$T$-TaS$_{2}$},
author = {Christopher W. Nicholson and Francesco Petocchi and Björn Salzmann and Catherine Witteveen and Maxime Rumo and Geoffroy Kremer and Fabian O. von Rohr and Philipp Werner and Claude Monney},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.05598},
year = {2025}
}
备注
Combined main article and supplementary information