层间堆叠对 1$T$-TaS$_2$ 电子性质的影响
强关联电子
2026-03-05 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
范德华材料的可控堆叠是探索量子凝聚态物理的强大工具。鉴于层间结合力较小，对其进行工程应用需要在堆叠方法上取得突破，或者具备利用较厚缺陷堆叠的能力。在此，我们描述了后者的计算基础工作，使用 1-TaS 作为模型系统，因其在冷存储应用方面具有潜力。通过将递归 Hendricks-Teller 计算和蒙特卡罗模拟与已发表的 X 射线衍射数据进行比较，我们获得了描述介观薄片中随机堆叠的关键参数。随后，通过在动力学平均场理论模拟中设定随机堆叠，这些参数调节了电子结构。Hubbard 排斥诱导出强关联金属层、能带绝缘层和 Mott 绝缘层，提供了令人信服的证据，表明电子性质源于超出普通能带理论所关联的金属和绝缘平面的共存。
引用
@article{arxiv.2503.24124,
title = {Effect of Interlayer Stacking on the Electronic Properties of 1$T$-TaS$_2$},
author = {Nelson Hua and Francesco Petocchi and Henry G. Bell and Gabriel Aeppli and Philipp Werner and Simon Gerber},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.24124},
year = {2026}
}