堆垛次序对 1T-TaS$_2$ 电子态的影响
强关联电子
2022-01-11 v4 材料科学
摘要
关于过渡金属二硫属化物 1T-TaS 的新理论提议与实验发现重新激起了人们对其可能的莫特绝缘态的兴趣。我们在原始 1T-TaS 的不同单台阶区域上进行了全面的扫描隧道显微镜与谱学实验。在准确确定两层中戴维之星超晶格的相对位移后，我们发现不同的堆垛次序可对应于上平台处相似的大带隙谱。当测量在远离台阶边缘处进行时，大带隙谱总能维持。堆垛次序似乎很少扰动理想块体材料中的大带隙谱。我们得出结论：大绝缘带隙源自单层性质，即基于单带 Hubbard 模型的关联诱导莫特带隙。特定的堆垛次序可扰动该态并在台阶边缘周围有限区域内诱导出小带隙或金属性谱，我们将其归因于表面与边缘现象。我们的工作提供了关于表面电子态的更多证据，并深化了对 1T-TaS 中莫特绝缘态的理解。
引用
@article{arxiv.2105.08663,
title = {Effect of Stacking Order on the Electronic State of 1T-TaS$_2$},
author = {Zongxiu Wu and Kunliang Bu and Wenhao Zhang and Ying Fei and Yuan Zheng and Jingjing Gao and Xuan Luo and Zheng Liu and Yu-ping Sun and Yi Yin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.08663},
year = {2022}
}
备注
9 pages, 8 figures