层状1T-NbS2电荷密度波相中的堆垛效应与库仑关联
强关联电子
2022-01-19 v1 材料科学
摘要
基于第一性原理计算，我们探究了具有二维电荷密度波（CDW）序的层状范德瓦耳斯材料块体1T-NbS2中堆垛效应与电子-电子关联的相互作用。在不考虑库仑关联时，确定了两种能量有利的面外堆垛构型：一种为具有单层堆垛模式的金属相，另一种为具有成对双层堆垛构型的能带绝缘体。即便计入库仑关联，这两种能量有利的堆垛序仍远比其他堆垛序稳定。此外，增强库仑相互作用时，成对双层堆垛构型从非磁性能带绝缘体转变为反铁磁绝缘体，而单层堆垛经历Slater-Mott金属-绝缘体转变，这表明电子-电子关联相互作用的作用不可忽略。另外，不同堆垛构型间的电子结构与磁基态变化剧烈，为通过调控堆垛序来调谐电子结构与层间磁相互作用提供了平台。与层状过渡金属硫族化物CDW相中隙形成由Mott局域化驱动这一被广泛接受的图景相反，我们的结果不仅凸显了堆垛序在1T-NbS2电子结构中的关键作用，也为库仑相互作用在不同堆垛排列中的差异化效应提供了新见解。
引用
@article{arxiv.2109.08348,
title = {Stacking effect and Coulomb correlation in layered charge density wave phase of 1T-NbS2},
author = {Wei Wang and Chen Si and Wen Lei and Feng Xiao and Yunhui Liu and Carmine Autieri and Xing Ming},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.08348},
year = {2022}
}
备注
19 pages, 8 figures,