理解 1T/1H-NbSe$_2$ 异质双层中的层间耦合
强关联电子
2024-03-07 v1 材料科学
摘要
二维材料的性质深受其衬底影响，从而导致屏蔽、电荷转移和杂化等各种“邻近效应”。令人惊讶的是，针对这些效应的理论研究十分匮乏。特别是，此前关于 1T-NbSe 中大卫之星 (SOD) 结构的理论研究主要集中在单层构型或与相同 1T 相堆叠且无真实衬底的情况。在此，我们摒弃这些方法，探索当 1T-NbSe 相生长在金属 1H-NbSe 衬底上时，这些邻近效应如何塑造其电子和磁学性质。利用密度泛函计算，我们建立了一个通用框架来定义自由站立 1T-NbSe 和 1H-NbSe 的关键特征。随后，我们确定了这两层的最佳堆叠排列，揭示了从 1T 相到 1H 相的电荷转移以及各层内的电荷重排。我们的研究结果表明，SOD 结构的磁矩依然稳健，但由于 Hubbard 能带的在位库仑相互作用减弱而有所减小。此外，层间耦合诱导了 1T 相的金属性，并增加了下部 Hubbard 能带与价带的去耦合程度。
引用
@article{arxiv.2403.03302,
title = {Understanding the Interlayer Coupling in 1T/1H-NbSe$_2$ Hetero-Bilayers},
author = {Roman Pico and Paula Abufager and Ignacio Hamad and Roberto Robles and Nicolas Lorente},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.03302},
year = {2024}
}