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单层 1TNbSe$_2$ 电荷密度波相中的声子辅助磁性 Mott 绝缘态

材料科学 2018-07-18 v2 强关联电子

摘要

我们从第一性原理研究了单层 1TNbSe2_2 的结构、电子和振动性质。在广义梯度近似下,1T 多型体相对于 2H 极不稳定。DFT+U 方法改善了 1T 相的稳定性,解释了其在实验中被检测到的原因。电荷密度波以 13×13 R30\sqrt{13}\times\sqrt{13}~R30^{\circ} 的周期性出现,与 STM 数据一致。在 U=0U=0 时,David 星重构在 Fermi 能级下方显示出一条平带,具有中心 Nb 原子明显的 dz2r2_{z^2-r^2} 轨道特征。Hubbard 相互作用诱导出磁性 Mott 绝缘态。磁性使星中中心 Nb 原子周围的晶格发生畸变,降低了中心 Nb dz2r2_{z^2-r^2} 轨道与相邻 Se p 态之间的杂化,并在能量上升高了成为非键的平带。这种晶格与磁性的协同效应放大了 Mott 能隙。因此,单层 1TNbSe2_2 是一种声子辅助的自旋-1/21/2 磁性 Mott 绝缘体。

关键词

引用

@article{arxiv.1803.08361,
  title  = {Phonon-assisted magnetic Mott-insulating state in the charge density wave phase of single-layer 1TNbSe2},
  author = {Matteo Calandra},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1803.08361},
  year   = {2018}
}

备注

6 pages, 9 pictures