方格子上磁诱导单态 d 波超导性的条件

预计在弱到中等耦合下，d 波超导性可由反铁磁涨落诱导。然而，需要澄清费米面拓扑、态密度、赝能隙以及磁涨落波矢量对诱导 d 波态的性质和强度的作用。为此，我们研究了二维半满 Hubbard 模型作为相互作用强度 $U/t$、由二阶跃迁 $t^{\prime}/t$ 诱导的阻挫以及温度 $T/t$ 函数的广义相图。在实验中，$U/t$ 和 $t^{\prime}/t$ 可通过压力控制。我们使用适用于弱到中等耦合的双粒子自洽方法 (TPSC)。我们首先计算了自旋响应函数开始呈指数增长时的温度和波矢量，作为 $t^{\prime}/t$ 和 $U/t$ 的函数。半满能带中的 D 波超导性可由此类磁涨落在弱到中等耦合下诱导，但前提是它们接近公度波矢量，且不过于接近完美嵌套条件，因为此时赝能隙会对超导性产生不利影响。因此，对于给定的 $U/t$，存在一个使超导 $T_c$ 最大的最佳阻挫值 $t^{\prime}/t$。非相互作用态密度所起作用甚微。超导序参量的对称性 d$_{x^{2}-y^{2}}$ 与 d$_{xy}$ 取决于底层磁涨落的波矢量，其方式可通过简单论证定性理解。