关联磁性 1T-NbSe2 双层中由层间滑移与扭转诱导的电子相变
材料科学
2023-02-09 v1
摘要
关联二维（2D）层，如 TaS2、TaSe2 与 NbSe2 的 1T 相，通过调节层间耦合展现出丰富的可调性，这促进了对 2D 极限下电子关联的理解。然而，其耦合机制迄今仍知之甚少，并被 tentative 归因于 Ta 或 Nb 原子的 d_(z^2) 轨道间相互作用。本文从理论上表明，在关联磁性 1T-NbSe2 双层中，层间杂化及界面 Se pz 轨道的局域化强度（而非 Nb d_(z^2) 轨道）主导着层间滑移或扭转时电子关联性质的变化。每层均处于星状戴维斯（SOD）电荷密度波相。我们利用密度泛函理论计算考察并分析了 28 种不同堆垛构型的几何与电子结构及磁性质。我们发现 SOD 含有一个局域区域（Reg-L），其中层间 Se pz 杂化在改变两个 Hubbard 带的能级方面起着至关重要的作用。这些改变导致四种绝缘态之间发生三种电子相变，证明了层间相互作用在原型关联磁性绝缘体中调制关联磁性质的有效性。
引用
@article{arxiv.2302.04091,
title = {Layer sliding and twisting induced electronic transitions in correlated magnetic 1T-NbSe2 bilayers},
author = {Jiaqi Dai and Jingsi Qiao and Cong Wang and Linwei Zhou and Xu Wu and Liwei Liu and Xuan Song and Fei Pang and Zhihai Cheng and Xianghua Kong and Yeliang Wang and Wei Ji},
journal= {arXiv preprint arXiv:2302.04091},
year = {2023}
}
备注
5 figures