设计平坦带、局域态与浸润态：TaS2 三层异质结构
材料科学
2025-02-14 v1
摘要
层叠与扭曲范德华材料提供了一种强大的工具，用于设计量子物质并工程化电子关联。例如，1T-和 1H-TaS2 单层分别为 Mott 绝缘体和金属（亦可超导），因此 T/H 双层系统在重量子子系统和非常规超导性背景下受到广泛关注，预期会表现出从局域自旋 (1T) 与浸润电子 (1H) 共存的相。然而，近期研究表明，显著的从 1T 向 1H 层的电荷转移消除了 1T 的 Mott 性质，使上述情景变得难以实现。在本工作中，我们提出一种 T/T/H 三层异质结构，通过组合 T/T 双层——一种具有平坦色散的绝缘体——与 1H 层。经过电荷再分配，该三层异质结构显示出 T/T 双层中平坦带的局域自旋，以及 1H 层中较弱的自旋极化。我们认为，通过改变 T/T 双层在 T/T/H 三层中的层叠配置，可实现从掺杂 Mott 绝缘体到 Kondo 绝缘体的交叉。因此，T/T/H 三层提供了一种丰富的新型异质结构平台，用于研究强关联现象和非常规超导性。
引用
@article{arxiv.2502.08793,
title = {Designing Flat Bands, Localized and Itinerant States in TaS2 Trilayer Heterostructures},
author = {Hyeonhu Bae and Roser Valenti and Igor I. Mazin and Binghai Yan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.08793},
year = {2025}
}