光学探测菱方堆叠MoS2双层中的非对称层间耦合
介观与纳米尺度物理
2022-09-16 v1
摘要
层间耦合正成为调控二维（2D）范德瓦耳斯材料物理性质的新参数。当两个相同的半导体单层以扭转角堆叠时，由于莫尔超晶格引起的周期性层间耦合调制可能带来奇异的物理现象，如莫尔激子和关联电子相。为深入理解这些新现象，揭示原子层之间的潜在耦合至关重要。近来，菱方堆叠的过渡金属硫族化物（TMD）双层因由非铁电单层组分产生出平面外极化而引起了显著兴趣。然而，作为决定物理性质的关键参数，其中的层间耦合及其与铁电性的关系仍不清楚。在此，我们探测了3R-MoS2双层中一层导带与另一层价带之间的非对称层间耦合，这可理解为层依赖的Berry相位绕数的结果。通过在双栅器件中进行光学光谱测量，我们展示了3R-MoS2双层在K点存在II型能带排列。此外，通过厘清能带偏移的各种贡献，我们定量确定了3R-MoS2中的非对称层间耦合与自发极化。
引用
@article{arxiv.2209.06966,
title = {Optically probing the asymmetric interlayer coupling in rhombohedral-stacked MoS2 bilayer},
author = {Jing Liang and Dongyang Yang and Jingda Wu and Jerry I Dadap and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Ziliang Ye},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.06966},
year = {2022}
}
备注
To be published in Physical Review X