化学气相沉积生长的MoS2层中层间激子的调控
材料科学
2020-05-18 v1
摘要
将MoS单层组合形成多层可获取新功能。本工作中，我们考察了通过化学气相沉积（CVD）生长的同质双层MoS样品以及由CVD单层人工堆叠的双层中，堆垛序与价态层间耦合之间的关联。我们表明，在2H堆垛中允许空穴在双层上离域，并导致强层间激子吸收，且与3R双层相比具有更大的A-B激子分离，在3R双层中电子和空穴均被限制在各层中。比较2H与3R反射谱可提取约 meV的层间耦合能。对于原位生长和人工堆叠双层得到非常相似的结果，这为利用CVD材料组装大面积范德瓦耳斯结构带来了希望，并以层间激子吸收和A-B激子分离作为层间耦合的指标。此外，包含激子效应的DFT计算确认了2H堆垛中高效层间耦合的特征，与我们的实验一致。
引用
@article{arxiv.2001.08914,
title = {Controlling interlayer excitons in MoS2 layers grown by chemical vapor deposition},
author = {Ioannis Paradisanos and Shivangi Shree and Antony George and Nadine Leisgang and Cedric Robert and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Richard J. Warburton and Andrey Turchanin and Xavier Marie and Iann C. Gerber and Bernhard Urbaszek},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.08914},
year = {2020}
}
备注
10 pages including supplement, 3 + 4 figures