双层 MoS$_2$ 中的电容耦合与电感耦合激子
介观与纳米尺度物理
2022-09-14 v1
摘要
我们在二维半导体同质双层 MoS 中研究了层内激子与层间激子的相互作用。结果表明，测得的光极化率同时揭示了耦合常数的大小和符号。层间激子与层内 B 激子发生电容性相互作用（正耦合常数），这与空穴从一层单层隧穿到另一层相一致。相反，层间激子与层内 A 激子发生电感性相互作用（负耦合常数）。第一性原理多体计算表明，这种耦合是通过 A 激子和 B 激子的谷内交换相互作用产生的。
引用
@article{arxiv.2108.04248,
title = {Capacitively-coupled and inductively-coupled excitons in bilayer MoS$_2$},
author = {Lukas Sponfeldner and Nadine Leisgang and Shivangi Shree and Ioannis Paradisanos and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Cedric Robert and Delphine Lagarde and Andrea Balocchi and Xavier Marie and Iann C. Gerber and Bernhard Urbaszek and Richard J. Warburton},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.04248},
year = {2022}
}
备注
Main text: 6 pages, 4 figures; Supplementary Information: 17 pages, 15 figures