双层MoS2中层间激子具有光与磁可寻址的谷赝自旋
介观与纳米尺度物理
2021-06-02 v1 材料科学
摘要
双层MoS2中的层间谷激子同时具有大的振子强度和长寿命，因此代表了谷电子学应用的一种有利情形。然而，对原始双层MoS2中层间激子的谷赝自旋的控制——这是谷电子学的核心——一直难以实现。在此，我们报道了在双层MoS2的层间激子中观察到具有光和磁双重可寻址性的高度圆偏振光致发光。在激子共振附近圆偏振光的激发下，双层MoS2的层间激子显示出接近完全但为负值的圆偏振。重要的是，通过用面外磁场打破时间反演对称性，我们在双层MoS2的层间激子中发现了创纪录的自发谷极化水平（7.7%/特斯拉）。双层MoS2中层间激子的巨大谷极化，连同电/光/磁控制的可行性以及强振子强度，为下一代电子和光电子应用的发展提供了坚实基础。
引用
@article{arxiv.2106.00351,
title = {Optically and magnetically addressable valley pseudospin of interlayer excitons in bilayer MoS2},
author = {Yanchong Zhao and Luojun Du and Shiqi Yang and Jinpeng Tian and Xiaomei Li and Cheng Shen and Jian Tang and Yanbang Chu and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Rong Yang and Dongxia Shi and Zhipei Sun and Yu Ye and Wei Yang and Guangyu Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.00351},
year = {2021}
}
备注
31 pages, 15 figures