单层 MoSe₂ 中的反常谷极化
材料科学
2015-03-31 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
现代电子设备严重依赖对电子电荷和自旋的精确控制。可控谷自由度的出现带来了新的可能性，并为谷电子学展现了广阔的前景。最近，通过手性光学泵浦选择的谷激发已在单层 MoS₂ 中被观察到。在本工作中，我们报告了单层 MoSe₂（过渡金属二硫化物家族 MX₂ 的另一成员）的偏振光致发光测量结果，并观察到与 MoS₂ 结果的显著差异。特别地，我们识别出 B 激子的谷极化高达 70%，而 A 激子的谷极化低于 3%。此外，我们还发现 A-三激子存在微小但有限的负谷极化。这些结果揭示了若干新的谷内和谷间散射过程，这些过程显著影响谷极化，从而为单层 MX₂ 中的激子物理以及可能的谷电子学应用提供了新的见解。
引用
@article{arxiv.1503.08631,
title = {Anomalous valley polarization in monolayer MoSe2},
author = {Anmin Zhang and Jiahe Fan and Yusheng Li and Jianting Ji and Guihua Zhao and Tianlong Xia and Tengfei Yan and Xinhui Zhang and Wei Zhang and Xiaoqun Wang and Qingming Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.08631},
year = {2015}
}
备注
19 pages including supplementary information, 4 figures, 30 references