单层 WSe2 中无序依赖的谷特性
材料科学
2017-08-29 v2
摘要
我们研究了无序势对单层 WSe2 中激子谷极化和谷相干性的影响。通过分析光致发光的偏振特性，在非均匀展宽的激子共振范围内量化了谷相干性 (valley coherence, VC) 和谷极化 (valley polarization, VP)。我们发现无序在激子 VC 中起着关键作用，而对 VP 的影响极小。对于以斯托克斯位移 (Stokes Shift, SS) 表征无序的不同单层样品，VC 在具有更高 SS 的样品中降低，而 VP 再次保持不变。这两种方法一致证明，由线性偏振光致发光程度定义的 VC 对无序势更敏感，这激发了进一步的理论研究。
引用
@article{arxiv.1703.08478,
title = {Disorder Dependent Valley Properties in Monolayer WSe2},
author = {Kha Tran and Akshay Singh and Joe Seifert and Yiping Wang and Kai Hao and Jing-Kai Huang and Lain-Jong Li and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Xiaoqin Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.08478},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 3 figures