电荷可调单层 MoSe2 中巨顺磁性诱导的电子谷极化
介观与纳米尺度物理
2017-06-14 v1 量子物理
摘要
对于利用过渡金属二硫族化物单层中谷赝自旋自由度的应用而言，在单一谷中高效制备电子或空穴至关重要。本文展示了 7 特斯拉的磁场导致密度为 1.6x10^{12} cm^{-2} 的 MoSe2 单层中电子近乎完全的谷极化；在缺乏有利于单谷占据的交换相互作用的情况下，达到类似程度的谷极化将需要超过 40 的赝自旋 g 因子。为研究磁响应，我们使用了偏振分辨光致发光以及共振反射测量。在后者中，我们观察到依赖于栅极电压的振子强度从激子向吸引费米极化子的转移：两种光螺旋性光谱的显著差异为谷极化提供了确证。我们的发现表明 MoSe2 存在相互作用诱导的巨顺磁响应，这为谷电子学应用铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1701.01964,
title = {Giant paramagnetism induced valley polarization of electrons in charge-tunable monolayer MoSe2},
author = {Patrick Back and Meinrad Sidler and Ovidiu Cotlet and Ajit Srivastava and Naotomo Takemura and Martin Kroner and Atac Imamoglu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.01964},
year = {2017}
}