磁交换场增强单层 WSe2 中的谷劈裂
介观与纳米尺度物理
2018-06-20 v1
摘要
利用谷自由度存储和操控信息为未来电子学提供了一种新范式。具有破缺反演对称性的单层过渡金属二硫族化物（TMDC）拥有两个简并但不等价的谷，为通过光螺旋性进行谷操控提供了独特机会。最近已演示了通过塞曼劈裂解除谷简并，这可能实现通过磁场进行谷操控。然而，已实现的谷劈裂较小（约 0.2 meV/T）。在此，我们利用铁磁 EuS 衬底的界面磁交换场（MEF），展示了单层 WSe2 中显著增强的谷劈裂。通过磁反射测量，在 1 T 下展示了 2.5 meV 的谷劈裂。此外，该劈裂遵循 EuS 的磁化强度，这是 MEF 的标志性特征。利用磁性绝缘体的 MEF 可在 TMDC 中诱导磁序以及谷和自旋极化，这可能实现谷电子学和量子计算应用。
引用
@article{arxiv.1610.04878,
title = {Enhanced valley splitting in monolayer WSe2 due to magnetic exchange field},
author = {Chuan Zhao and Tenzin Norden and Puqin Zhao and Yingchun Cheng and Peiyao Zhang and Fan Sun and Payam Taheri and Jieqiong Wang and Yihang Yang and Thomas Scrace and Kaifei Kang and Sen Yang and Guo-xing Miao and Renat Sabirianov and George Kioseoglou and Athos Petrou and Hao Zeng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.04878},
year = {2018}
}