理解单层过渡金属二硫族化物中圆偏振光致发光的变化
介观与纳米尺度物理
2017-09-29 v1
摘要
单层过渡金属二硫族化物是用于谷电子学操作的有前途的材料。它们在布里渊区中表现出两个不等价的谷，并且可以使用圆偏振光激发和发射直接控制和确定谷布居。光致发光偏振反映了两个谷布居的比例。对于单层 WS2，圆偏振发射度 Pcirc 已有很宽范围的数值报道，尽管造成这种差异的原因尚不清楚。在这里，我们光学布居一个谷，并测量 Pcirc，以在通过化学气相沉积合成的大量单层 WS2 样品中探索室温下的谷布居动力学。在共振激发下，Pcirc 范围从 2% 到 32%，我们观察到光致发光（PL）强度与 Pcirc 之间存在明显的反比关系。表现出强 PL 和长激子弛豫时间的高质量样品表现出低度的谷偏振，反之亦然。这种行为也在单层 WSe2 样品和转移的 WS2 中得到了证明，表明这种相关性可能更普遍地被观察到，并解释了报道的 Pcirc 的广泛变化。时间分辨 PL 提供了对辐射和非辐射贡献在观察到的偏振中所起作用的洞察。较短的非辐射寿命通过限制退偏振散射事件的机会，导致了更高的测量偏振。
引用
@article{arxiv.1709.07053,
title = {Understanding Variations in Circularly Polarized Photoluminescence in Monolayer Transition Metal Dichalcogenides},
author = {Kathleen M. McCreary and Marc Currie and Aubrey T. Hanbicki and Hsun-Jen Chuang and Berend T. Jonker},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.07053},
year = {2017}
}