通过光学光谱探测单层过渡金属二硫化物中的自旋极化电子能带结构
介观与纳米尺度物理
2017-02-21 v1
摘要
我们通过在双栅场效应器件上进行光学反射和光致发光光谱研究，探讨了单层 WSe2 和 MoSe2 布里渊区 K/K' 谷中的电子能带结构。实验通过对 A 和 B 激子共振掺杂依赖性的系统研究，揭示了这些化合物导带中独特的自旋极化现象。在单层 WSe2 中，最高能价带和最低能导带中的电子具有反平行自旋，而在单层 MoSe2 中则为平行自旋。测定价带的自旋分裂为数百 meV，导带为数十 meV，这与第一性原理计算结果吻合良好。这些数值也表明，n 型和 p 型 WSe2 及 MoSe2 均可能与基于自旋和谷的应用相关。
关键词
引用
@article{arxiv.1702.05647,
title = {Probing the spin-polarized electronic band structure in monolayer transition metal dichalcogenides by optical spectroscopy},
author = {Zefang Wang and Liang Zhao and Kin Fai Mak and Jie Shan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.05647},
year = {2017}
}
备注
13 pages, 4 figures