双层石墨烯上单层WSe2中的自旋-谷耦合电子态
材料科学
2015-09-02 v1
摘要
我们通过外延生长制备了双层石墨烯上的高质量单层WSe2薄膜，并利用自旋分辨角分辨光电子能谱揭示了其电子态。我们观察到在布里渊区角落处存在直接能隙，这与块体WSe2的间接能隙性质相反，这归因于单层膜中缺乏层间相互作用以及空间反演对称性的破缺。在区角附近能带中观测到约0.5 eV的巨大自旋分裂，这是已知单层过渡金属硫族化物中最大的。本结果表明WSe2在开发基于自旋与谷自由度耦合的先进器件方面具有高潜在适用性。
引用
@article{arxiv.1508.01249,
title = {Spin- and valley- coupled electronic states in monolayer WSe2 on bilayer graphene},
author = {K. Sugawara and T. Sato and Y. Tanaka and S. Souma and T. Takahashi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.01249},
year = {2015}
}
备注
accepted for publication in Appl. Phys. Lett