扭曲双层 WSe2 低能带结构的调控
材料科学
2026-05-21 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
调控基于二维材料的异质结构的电子结构对于其在功能性下一代电子器件中至关重要。本文通过具有纳米尺度空间分辨率的角分辨光子能谱 (nano-ARPES) 系统性地跟踪双层 WSe2 近 Fermi 能级电子结构随扭曲角度的演变。虽然价带最高点在动量空间中的位置独立于扭曲角度，但我们发现，K 点 Brillouin 区的空穴带与更高结合能空穴带之间的能量分离可超过 100 meV 进行调控。我们探讨了这种演变背后的机制，并讨论了对调控 both 带隙大小以及自旋依赖电子-声子耦合通道效率的影响。
引用
@article{arxiv.2605.20671,
title = {Tuning the low-energy band structure in twisted bilayer WSe2},
author = {T. -H. -Y. Vu and O. J. Clark and N. H. Jo and J. Blyth and Q. Li and C. Jozwiak and A. Bostwick and J. B. Muir and L. Jia and J. A. Davis and I. Di Bernardo and A. Grubisic Cabo and K. Xing and W. Zhao and S. H. Ryu and S. H. Lee and Z. Mao and K. Watanabe and T. Taniguchi and B. A. Chambers and S. L. Harmer and E. Rotenberg and M. S. Fuhrer and M. T. Edmonds},
journal= {arXiv preprint arXiv:2605.20671},
year = {2026}
}