MoSe$_2$ 双层中莫尔激子的电学调控
介观与纳米尺度物理
2023-01-18 v1
摘要
垂直堆叠二维材料领域的近期进展揭示了丰富的激子图景。特别地，已证明面外电场可用于调控空间分离层间激子的光谱位置。其他研究表明激子态存在强杂化，源于两层中电子态的混合。然而，依赖于扭转角的杂化与场致能量移动之间的联系一直不明。在此，我们在微观基础上研究了 MoSe 同质双层中莫尔激子的电学与扭转角调控之间的相互作用。我们揭示了 PL 光谱中明显由层内激子、层间激子甚至暗激子分别主导的不同能量区域。进而，我们预言了材料从直接半导体转变为间接半导体时的依赖于扭转角的临界电场。我们的工作为实验上可触及的、显著调控原子级薄纳米材料中莫尔激子物理的旋钮提供了新的微观见解。
引用
@article{arxiv.2207.01890,
title = {Electrical tuning of moir\'e excitons in MoSe$_2$ bilayers},
author = {Joakim Hagel and Samuel Brem and Ermin Malic},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.01890},
year = {2023}
}
备注
12 pages, 5 figures