二硫化铼与二硒化铼的电子能带结构
介观与纳米尺度物理
2018-09-18 v2
摘要
本文给出了块体过渡金属硫族化合物ReS2和ReSe2的能带结构，显示了这些材料中带间跃迁的复杂性，存在多个相近的带隙。利用布里渊区中靠近能带极值能量处的等能面三维图，表明价带顶和导带底可能并不位于特殊的高对称点。我们发现这两种材料均为间接带隙材料，并且在解决此问题时必须谨慎考虑整个布里渊区体积。
引用
@article{arxiv.1801.02933,
title = {Electronic band structure of rhenium dichalcogenides},
author = {Surani M. Gunasekera and Daniel Wolverson and Lewis S. Hart and Marcin Mucha-Kruczynski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.02933},
year = {2018}
}