ReS2 与 ReSe2 中直接光学跃迁的压强依赖性
材料科学
2019-05-30 v1
摘要
我们呈现了高压下 ReS2 和 ReSe2 电子能带结构的实验与理论研究。实验通过光反射谱进行，并依据密度泛函理论内的第一性原理计算加以分析。获得了两个最主要激子跃迁的实验压强系数，并与计算预测值进行比较。我们将这些跃迁归属于布里渊区的 Z 点以及远离高对称点的其他 k 点。基于电子结构的轨道分析和范德瓦耳斯层间相互作用，讨论了所测直接跃迁压强系数的起源。通过偏振分辨光反射测量，研究了高压下的各向异性光学性质。
引用
@article{arxiv.1812.02995,
title = {Pressure dependence of direct optical transitions in ReS2 and ReSe2},
author = {R. Oliva and M. Laurien and F. Dybala and J. Kopaczek and Y. Quin and S. Tongay and O. Rubel and R. Kudrawiec},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.02995},
year = {2019}
}