ReS$_2$的窄带各向异性电子结构
材料科学
2017-08-23 v1
摘要
我们使用角分辨光电子能谱研究了 ReS 的能带结构，ReS 是一种具有扭曲 1T 晶体结构的过渡金属二硫属化物半导体。我们发现大量窄价带，将其归因于结构畸变和自旋轨道耦合的共同影响。我们进一步成像这如何导致电子结构的强面内各向异性，具有准一维能带反映沿锯齿形 Re 链的主导跳跃。我们发现这并未持续到价带顶，在价带顶处恢复了更三维的特征，基本带隙位于布里渊区中心沿 方向之外。这些实验与我们的密度泛函理论计算很好地一致，为 ReS 的体电子结构以及当其减薄至单层时如何演变提供了新的见解。
引用
@article{arxiv.1703.04725,
title = {Narrow-band anisotropic electronic structure of ReS$_2$},
author = {D. Biswas and A. M. Ganose and R. Yano and J. M. Riley and L. Bawden and O. J. Clark and J. Feng and L. Collins-Mcintyre and W. Meevasana and T. K. Kim and M. Hoesch and J. E. Rault and T. Sasagawa and D. O. Scanlon and P. D. C. King},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.04725},
year = {2017}
}