原子级薄ReS$_2$中带隙转变的直接观测
材料科学
2017-10-11 v1
摘要
ReS被认为是新型电子与传感器应用的有前途候选者。范德瓦耳斯化合物ReS的低晶体对称性导致了高度各向异性的光学、振动和输运行为。然而，这一迷人材料的电子能带结构的细节仍很大程度上未被探索。我们呈现了利用k空间光发射显微镜结合第一性原理计算对单层、双层和块体ReS电子结构的动量分辨研究。我们证明块体ReS中的价电子——与近期文献中的假设相反——在范德瓦耳斯间隙上显著离域。此外，我们直接观察到价带色散随层数增加的演化，揭示了单层晶体中有效电子质量的显著增加。我们还发现仅双层ReS具有直接带隙。我们的结果确立了双层ReS作为二维器件与范德瓦耳斯异质结构的优势构建单元。
引用
@article{arxiv.1702.04176,
title = {Direct observation of the band gap transition in atomically thin ReS$_2$},
author = {Mathias Gehlmann and Irene Aguilera and Gustav Bihlmayer and Slavomír Nemšák and Philipp Nagler and Pika Gospodarič and Giovanni Zamborlini and Markus Eschbach and Vitaliy Feyer and Florian Kronast and Ewa Młyńczak and Tobias Korn and Lukasz Plucinski and Christian Schüller and Stefan Blügel and Claus M. Schneider},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.04176},
year = {2017}
}