NbS$_2$与MoS$_2$异常堆积结构的新型电子结构
强关联电子
2024-07-01 v1 材料科学
摘要
我们表明，在某些过渡金属硫化物中， cleaved sample 表面的少数区域显示出-意外且异常地-有限数量的二维电子态，而非预期的三维价带。在NbS的情况下，除了与bulk 2Ha堆积相关的典型光谱外，我们还发现少数区域的电子结构与few-layers的3R堆积相符。在MoS中，我们发现bulk 2Hc和3R堆积的区域，以及 exhibiting finite-layer quantisation的区域。我们进一步发现MoS更异常的4Ha堆积的证据，其中价带最大值为准二维。结果凸显了van der Waals材料的层间堆积变异如何产生新的电子结构，这些变异超出常规报道的bulk多态形式。
引用
@article{arxiv.2406.19793,
title = {Novel electronic structures from anomalous stackings in NbS$_2$ and MoS$_2$},
author = {Matthew D. Watson and Mihir Date and Alex Louat and Niels B. M. Schröter},
journal= {arXiv preprint arXiv:2406.19793},
year = {2024}
}