探测层间耦合与库仑相互作用对少层MoSe2纳米结构电子结构的影响
介观与纳米尺度物理
2015-11-06 v1
摘要
尽管过渡金属硫族化合物（TMD）材料中层间作用力较弱，但其性质在少层二维（2D）极限下高度依赖于层数。本文中，我们结合扫描隧道显微镜/谱学与GW理论计算，研究了生长在双层石墨烯上的高质量单层与少层MoSe2的电子结构。我们发现，由于层间耦合与屏蔽效应，从一层到三层，电子（准粒子）带隙这一输运与光学现象的基本参数减小了近一个电子伏特。我们的结果清晰地描绘了随着层数变化，价带与导带能谷中电子波函数杂化演化的图像。这证明了层数与电子-电子相互作用对范德瓦耳斯异质结的重要性，并有助于阐明未来二维纳米器件中其电子性质如何被调控。
引用
@article{arxiv.1503.05588,
title = {Probing the Role of Interlayer Coupling and Coulomb Interactions on Electronic Structure in Few-Layer MoSe2 Nanostructures},
author = {Aaron J. Bradley and Miguel M. Ugeda and Felipe H. da Jornada and Diana Y. Qiu and Wei Ruan and Yi Zhang and Sebastian Wickenburg and Alexander Riss and Jiong Lu and Sung-Kwan Mo and Zahid Hussain and Zhi-Xun Shen and Steven G. Louie and Michael F. Crommie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.05588},
year = {2015}
}