双层MoS$_{2}$中$K$谷电子层间隧穿耦合的缺失
介观与纳米尺度物理
2019-09-18 v1
摘要
在Bernal堆垛双层石墨烯中,与单层石墨烯相比,层间耦合显著影响了电子能带结构。本文报道了高质量掺杂双层MoS的磁输运实验。通过测量朗道能级随电子密度和外加磁场的演化,我们得以研究导带态的占据、原始双层MoS中的层间耦合,以及这些效应如何受电子-电子相互作用支配。我们发现双层MoS的两层表现为两个独立的电子系统,其中每个MoS层均观察到二重简并的朗道能级。在底层MoS开始占据时,我们观察到由交换相互作用引起的强负压缩率。这些由样品高电子质量所实现的观测表明,原始双层MoS中存在弱层间隧穿耦合但强层间静电耦合。实验所得结论也可能与其他过渡金属硫族化物材料相关。
引用
@article{arxiv.1904.09202,
title = {Absence of inter-layer tunnel coupling of $K$-valley electrons in bilayer MoS$_{2}$},
author = {Riccardo Pisoni and Tim Davatz and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Thomas Ihn and Klaus Ensslin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.09202},
year = {2019}
}