取向不一致的 MoS2 的层间电阻
材料科学
2017-05-24 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
过渡金属二硫属化物中的层间取向不一致会改变层间距、电子能带结构和振动模式，但其对层间电阻的影响尚属未知。本工作分析了取向不一致的 2H-MoS2 对低能电子和空穴的相干层间电阻随取向不一致角度的函数关系。电子层间电阻随超胞晶格常数单调增加数个数量级，这与取向不一致的双层石墨烯的情况类似。大的空穴耦合使得层间空穴电阻较低，且对取向不一致角度的依赖性较弱。n 型区域与 p 型区域之间的层间旋转将抑制电子电流，而对空穴电流几乎没有影响。我们估算了数值界限，并从高对称点能带的轨道组成角度对结果进行了解释。密度泛函理论计算提供了层间耦合，该耦合被用于隧穿哈密顿量和非平衡格林函数对电阻率的计算中。
引用
@article{arxiv.1606.03682,
title = {Interlayer Resistance of Misoriented MoS2},
author = {Kuan Zhou and Darshana Wickramaratne and Supeng Ge and Shanshan Su and Amrit De and Roger K. Lake},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.03682},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 3 figures