2H 过渡金属二硫化物中层间离域的控制
介观与纳米尺度物理
2018-01-17 v2
摘要
本文通过实验和理论两方面详细评估了过渡金属二硫化物的层间耦合如何控制相应器件的电子性质。栅控过渡金属二硫化物结构显示，电子和空穴是局域在单个单层内，还是离域到多个层之外，取决于自旋-轨道相互作用与层间跃迁之间的平衡。这种平衡依赖于层厚、动量空间对称点以及施加的栅极电场。对栅控 MoS2 系统中量子限制斯塔克效应的预测与测量之间良好的定量一致性，揭示了层内激子是观测到的光致发光的主要来源。
引用
@article{arxiv.1703.02191,
title = {Control of interlayer delocalization in 2H transition metal dichalcogenides},
author = {Kuang-Chung Wang and Teodor K. Stanev and Daniel Valencia and James Charles and Alex Henning and Vinod K. Sangwan and Aritra Lahiri and Daniel Mejia and Prasad Sarangapani and Michael Povolotskyi and Aryan Afzalian and Jesse Maassen and Gerhard Klimeck and Mark C. Hersam and Lincoln J. Lauhon and Nathaniel P. Stern and Tillmann Kubis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.02191},
year = {2018}
}
备注
11 pages, 15 figures