通过铯插层使二硫化钼与其衬底解耦
材料科学
2020-06-11 v1
摘要
在层状过渡金属硫族化物中插层碱金属原子是通向新一代电池的可能途径。它也是诱导结构相变、从而在此类材料中实现光与电开关的一种方式。插层过程多在三维硫族化物薄膜中被研究。此处，我们处理沉积于金衬底上的单层二硫化钼（MoS）在超洁净条件（超高真空）下被铯（Cs）插层的情况。我们表明插层使MoS与其衬底解耦。我们揭示了从Cs到MoS的电子转移、价带顶能量的相对变化，以及由插层Cs层结构无序所诱导的电子无序。此外，我们发现MoS的异常晶格膨胀，并将其归因于Cs的紧邻作用。插层是热激活的，其逆过程脱插层亦然。我们的工作开启了对若干未来可能技术中相关过程的微观理解之路，并展示了通过“覆盖下”功能化来调控二维硫族化物性质的方法。
引用
@article{arxiv.2006.05765,
title = {Decoupling Molybdenum Disulfide from its Substrate by Cesium Intercalation},
author = {Roberto Sant and Simone Lisi and Van Dung Nguyen and Estelle Mazaleyrat and Ana Cristina Gómez Herrero and Olivier Geaymond and Valérie Guisset and Philippe David and Alain Marty and Matthieu Jamet and Claude Chapelier and Laurence Magaud and Yannick J. Dappe and Marco Bianchi and Philip Hofmann and Gilles Renaud and Johann Coraux},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.05765},
year = {2020}
}
备注
6 figures