铜插层过渡金属二硫族化合物的电子结构：第一性原理计算
超导电性
2009-01-12 v2 强关联电子
摘要
我们报告了在密度泛函理论框架下，对铜插层二硒化钛（CuTiSe，其中 取值范围为 0 至 0.11）进行的第一性原理计算。为了更好地理解最近在这些结构中观察到的超导现象的成因，我们研究了插层对主体材料能带和态密度的影响。我们发现，从铜原子到金属二硫族化合物主体层的电荷转移导致原本呈半金属性的纯净 TiSe 中的空穴数量逐渐减少，从而抑制了低温下的电荷密度波跃迁，并相应地增加了费米能级处的态密度。这些效应可能是驱动插层系统发生超导跃迁的原因。
引用
@article{arxiv.0712.1304,
title = {Electronic structure of copper intercalated transition metal dichalcogenides: First-principles calculations},
author = {R. A. Jishi and H. M. Alyahyaei},
journal= {arXiv preprint arXiv:0712.1304},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 6 figures