Cu 插层与压力对 1T-TiSe2 中激子相互作用的影响
强关联电子
2019-03-29 v2
摘要
1T-TiSe2 在室温下具有半金属能带结构，并在常压低于 Tc ~ 200 K 时相变为具有公度超晶格结构（2a * 2a * 2c）的三重-q 电荷密度波（CDW）态。该相变由涉及电子-声子与电子-空穴（激子）相互作用的协同现象引起，无法用标准 CDW 框架描述。通过 Cu 插层或施加压力，该相变温度被抑制并出现超导性（SC）。然而，这两种手段影响了何种序参量尚不清楚。我们通过同步辐射单晶 X 射线衍射，研究了超导态附近的 CuxTiSe2 与加压 1T-TiSe2 的晶体结构。在高温相中，Cu 插层与加压情形下的结构参数变化差异显著。此外，CDW 相变临界点与 SC 穹顶的关系在两种情形下亦不相同。激子相互作用似乎在 1T-TiSe2 的 P-T 相图中起重要作用，但在 x-T 相图中并非如此。
引用
@article{arxiv.1902.02046,
title = {Effect of Cu intercalation and pressure on excitonic interaction in 1T-TiSe2},
author = {Shunsuke Kitou and Akitoshi Nakano and Shintaro Kobayashi and Kento Sugawara and Naoyuki Katayama and Naoyuki Maejima and Akihiko Machida and Tetsu Watanuki and Koichi Ichimura and Satoshi Tanda and Toshikazu Nakamura and Hiroshi Sawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.02046},
year = {2019}
}
备注
11 pages, 7 figures, 1 table