过渡金属二硫属化物 TiSe2 中的本征绝缘基态
强关联电子
2019-05-22 v2 材料科学
摘要
过渡金属二硫属化物 TiSe 在过去四十年中受到显著研究关注。不同研究提出了抑制 200~K 电荷密度波转变、将低温电阻率改变数个量级、以及稳定磁性或超导性的方法。在此我们给出一种新合成技术的结果,其中样品在高达 180~bar 氩气的高压环境中生长。在 100~K 以上,性质与先前报道几乎不变,但始于约 80~K 的滞回电阻区,伴随绝缘低温行为,不同于此前任何观测。Hall 效应测量中可见载流子浓度相应降低,光电子能谱数据显示绝缘样品 Fermi 面上一个电子袋的消失。我们得出结论:高惰性气体压力合成触及了一种长期被推测为激子绝缘体的材料中的潜在非金属基态。
引用
@article{arxiv.1809.09467,
title = {Intrinsic Insulating Ground State in Transition Metal Dichalcogenide TiSe2},
author = {Daniel J. Campbell and Chris Eckberg and Peter Y. Zavalij and Hsiang-Hsi Kung and Elia Razzoli and Matteo Michiardi and Chris Jozwiak and Aaron Bostwick and Eli Rotenberg and Andrea Damascelli and Johnpierre Paglione},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.09467},
year = {2019}
}
备注
11 pages, 7 figures