SnSe$_2$ 场效应晶体管的金属-绝缘相变与电荷传输机制

我们报道了在薄膜中观察到金属-绝缘相变。通过静电掺杂，将 SnSe$_2$ 薄膜的室温载流子浓度提高到 $1.14\times 10^{13}$ cm$^{-2}$。清晰观察到从绝缘相向金属态的交叉。低温电荷传输机制受二维变范围跳跃控制。该机制受带弯曲和由硒空位引入的能隙态的影响。在低温下，迁移率主要受载子杂质限制；而在较高温度下，迁移率遵循幂律依赖，$\mu = T^{-\gamma}$，表明电子-声子散射占主导。器件电场偏移将费米能级向导带移动， 在足够高的温度下，可驱动系统进入金属态。我们的发现为 SnSe$_2$ FET 的电荷传输机制提供了洞见，这种理解将有助于优化其他二维材料以用于先进电子器件应用。