双极性硅-真空场效应晶体管中强金属性的电子与空穴二维输运
介观与纳米尺度物理
2015-08-04 v2 材料科学
摘要
我们报道了关于双极性栅控 Si-vacuum 场效应晶体管 (FET) 的实验与理论，其中我们通过改变外部栅压将系统从正栅压下的二维电子系统调谐至负栅压下的二维空穴系统，从而在同一器件中研究电子和空穴（低温二维）输运。电子（空穴）电导呈现强（中等）金属性温度依赖，在 0.3 K 与 4.2 K 之间电导率下降了 8（2）倍，峰值电子迁移率（ m/Vs）约为峰值空穴迁移率（同一样品中）的 20 倍。我们的理论利用背景库仑无序的 RPA 屏蔽很好地解释了数据，并确定所观察到的金属性是有効屏蔽无序的强温度依赖的直接结果。
引用
@article{arxiv.1502.02956,
title = {Strongly metallic electron and hole 2D transport in an ambipolar Si-vacuum field effect transistor},
author = {Binhui Hu and M. M. Yazdanpanah and B. E. Kane and E. H. Hwang and S. Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.02956},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures