Si量子阱中的电子和空穴：室温输运与拖曳电阻研究
材料科学
2009-11-13 v1 无序系统与神经网络
摘要
我们研究了单个22 nm厚双栅Si量子阱器件中的载流子输运，该器件具有独立的电子和空穴接触。在宽双栅电压窗口内绘制了电导、霍尔密度和霍尔迁移率图。当栅压不对称性不太大时，只有电子或空穴占据Si阱，霍尔迁移率显示出体反型/积累的特征。在强不对称双栅电压下，阱内形成电场诱导的电子-空穴(EH)双层。在平衡载流子密度下探索了EH拖曳电阻R_{he}：当电子和空穴密度在~0.4-1.7x10^{16} m^{-2}之间变化时，R_{he}从860欧姆单调减小至37欧姆。
引用
@article{arxiv.0808.2914,
title = {Electrons and holes in Si quantum well: a room-temperature transport and drag resistance study},
author = {M. Prunnila and S. J. Laakso and J. M. Kivioja and J. Ahopelto},
journal= {arXiv preprint arXiv:0808.2914},
year = {2009}
}