用于半导体孪晶体量子井中高迁移率 SiGe/Ge 2DHG 结构的量子井
介观与纳米尺度物理
2024-10-02 v1 材料科学
摘要
强自旋轨道耦合和相对较弱的超声核磁相互作用使得德国波在孔子量子比特成为半导体量子处理器的有前景的候选材料。strained Ge 量子井中二维孔气的结构是孔子量子比特的主要材料平台。低无序材料环境对于实现这一目标至关重要。本文报道了我们使用减压化学蒸发沉积技术制造的 Ge/SiGe 异质结，其在 Si 衬底上具有 60 nm 深埋量子井层。在 16 mK 的温度下，当载流子密度为 1.87×10^11/cm2 时，我们获得了最高为 308.64×10^4 cm2/Vs 的迁移率。同时，成功实现了双量子点和平面德国波与微波腔体的耦合。这充分表明，该结构可用于制备更高性能的孔子量子比特。
引用
@article{arxiv.2410.00768,
title = {High Mobility SiGe/Ge 2DHG Heterostructure Quantum Wells for Semiconductor Hole Spin Qubits},
author = {Zhenzhen Kong and Zonghu Li and Yuchen Zhou and Gang Cao and Hai-Ou Li and Jiale Su and Yiwen Zhang and Jinbiao Liu and Guo-Ping Guo and Junfeng Li and Jun Luo and Chao Zhao and Tianchun Ye and Guilei Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.00768},
year = {2024}
}