在 (100) GaAs 衬底上生长的 GaAs/AlGaAs 量子阱中的高迁移率二维空穴系统
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
我们报道了限制在 GaAs/AlGaAs 量子阱中的高迁移率二维空穴系统 (2DHS) 的输运性质，该量子阱通过分子束外延生长在 GaAs 的 (100) 表面上。量子阱利用一种新型电阻灯丝源进行碳调制掺杂。在 T=0.3K 和载流子密度 p=1x10^11cm^-2 下，实现了 10^6cm^2/Vs 的迁移率。在固定的载流子密度 p=10^11cm^-2 下，发现迁移率是量子阱宽度的非单调函数。对于 15nm 的阱，迁移率在 10^6cm^2/Vs 处达到峰值，而对于这些 (100) 样品，在更小和更大的阱宽下迁移率均降低。发现迁移率各向异性较小。沿 (0\bar11) 方向的迁移率比沿 (011) 方向高约 20%。此外，发现低温载流子密度对光的敏感度较低。在 T=4.2K 下暴露于红光后，空穴密度仅增加约 10%。在为 3.6x10^10cm^-2 的较低载流子密度设计的结构中，在 T=15mK 下实现了 800,000cm^2/Vs 的迁移率。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0501579,
title = {High mobility two-dimensional hole system in GaAs/AlGaAs quantum wells grown on (100) GaAs substrates},
author = {M. J. Manfra and L. N. Pfeiffer and K. W. West and R. de Picciotto and K. W. Baldwin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0501579},
year = {2009}
}
备注
submitted to Applied Physics Letters