具有面外谷占据的高迁移率AlAs量子阱
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
利用最先进的分子束外延技术生长薄的调制掺杂AlAs量子阱，我们实现了面外占据下5.5 m²/Vs的低温迁移率，比以往研究提高了一个数量级。然而，由于阱宽较窄，迁移率仍受界面粗糙度无序引起的散射限制。我们展示了一种新技术的成功实施，该技术利用热诱导的双轴拉伸应变，迫使电子在更厚的量子阱中占据面外谷，从而减少了界面粗糙度散射，使我们能够实现高达8.8 m²/Vs的迁移率。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0606071,
title = {High-mobility AlAs quantum wells with out-of-plane valley occupation},
author = {K. Vakili and Y. P. Shkolnikov and E. Tutuc and E. P. De Poortere and M. Padmanabhan and M. Shayegan},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606071},
year = {2009}
}
备注
3 pages, 3 figures, submitted for publication