具有各向异性质量的高迁移率单谷(110)AlAs量子阱
介观与纳米尺度物理
2008-09-29 v1
摘要
我们研究了一系列(110)取向AlAs量子阱的掺杂样品，并在150 Å宽量子阱中观察到电子占据单一各向异性质量谷的输运证据。我们对这些样品的应变和量子限域的计算预测，对于阱宽大于53 Å时存在单一各向异性质量谷占据。低于此宽度，预测为双谷占据，且纵向质量轴共线。我们观察到沿晶向的电子输运迁移率各向异性比为2.8，这归因于AlAs的X谷中电子的质量各向异性以及各向异性散射。
引用
@article{arxiv.0807.3763,
title = {Single-valley high-mobility (110) AlAs quantum wells with anisotropic mass},
author = {S. Dasgupta and S. Birner and C. Knaak and M. Bichler and A. Fontcuberta i Morral and G. Abstreiter and M. Grayson},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.3763},
year = {2008}
}