低密度极限下第二朗道能级中竞争的量子霍尔相
介观与纳米尺度物理
2015-06-19 v2
摘要
本文展示了来自两个高质量、低密度 GaAs 量子阱的结果。在电子密度为 n=5.0x10^10 cm^-2 的样品 A 中，在第二朗道能级的 \nu=7/2 处观察到了各向异性的电子输运行为。我们认为这种各向异性是由于该样品中巨大的朗道能级混合效应所致。在密度为 4.1x10^10 cm^-2 的样品 B 中，观察到了强烈的 8/3、5/2 和 7/3 分数量子霍尔态。此外，我们的能隙数据表明，类似于 8/3 态，5/2 态在低密度极限下也可能处于自旋非极化状态。两个样品的结果表明，强电子 - 电子相互作用和巨大的朗道能级混合效应在第二朗道能级中竞争的基态里起着重要作用。
引用
@article{arxiv.1405.6188,
title = {Competing quantum Hall phases in the second Landau level in low density limit},
author = {W. Pan and A. Serafin and J. S. Xia and L. Yin and N. S. Sullivan and K. W. Baldwin and K. W. West and L. N. Pfeiffer and D. C. Tsui},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.6188},
year = {2015}
}