反型 InAs/GaSb 量子阱量子振荡中的相位滑移与宇称跳变
介观与纳米尺度物理
2019-05-08 v1
摘要
我们给出了强杂化反型 InAs/GaSb 双量子阱的磁输运测量。我们发现自旋轨道相互作用导致类空穴态的显著自旋分裂，其在垂直磁场中形成不同的朗道能级。由此产生的量子霍尔态由周期性的偶数和奇数总填充支配，这源于简并度不同的类电子和类空穴朗道能级的同时占据。此外，所有涉及子带之间的振荡电荷转移导致通常顺序填充朗道能级中的离散相位滑移，且巧合的是相位滑移接近 。这些结果对复合系统中的朗道能级结构提供了新见解，并对解释从指数图获得的截距有影响，而指数图常被用于研究贝里相的存在。
引用
@article{arxiv.1809.08068,
title = {Phase Slips and Parity Jumps in Quantum Oscillations of Inverted InAs/GaSb Quantum Wells},
author = {Matija Karalic and Christopher Mittag and Susanne Mueller and Thomas Tschirky and Werner Wegscheider and Leonid Glazman and Klaus Ensslin and Thomas Ihn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.08068},
year = {2019}
}