倾斜磁场中的InAs-AlSb量子阱
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
通过相对于样品法线倾斜的磁场中的输运实验研究了InAs-AlSb量子阱。使用符合方法，我们发现对于高达28 T的磁场，自旋分裂可以高达朗道分裂的5倍。我们得到的g因子值约为13。对于小的偶数整数填充因子，Shubnikov-de Haas振荡中相应的极小值不能通过任意倾斜角度调谐为极大值。这表明相邻朗道能级和自旋能级存在反交叉。此外，我们发现对于特定的倾斜角度，作为磁场的函数，存在从偶数整数主导的Shubnikov-de Haas极小值到奇数整数极小值的交叉。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0005291,
title = {InAs-AlSb quantum wells in tilted magnetic fields},
author = {S. Brosig and K. Ensslin and A. G. Jansen and C. Nguyen and B. Brar and M. Thomas and H. Kroemer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0005291},
year = {2009}
}