InAs-AlSb 量子阱中零场自旋分裂的再讨论
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
我们对高品质 InAs-AlSb 量子阱进行磁导传输实验，显示在非常低磁场下完美无瑕的单周期 Shubnikov-de Haas 振荡。与基于非对称性导致的零场自旋分裂的理论预期相反，未观察到任何敲击效应。通过持久光导电效应和hydrostatic压力的应用改变载流子密度，以影响电子气界面处的电场。尽管 Shubnikov-de Haas 振荡分辨率很高，填充因子可达200，但仍未在零磁场下观察到自旋分裂的迹象。这种令人惊讶且意外的结果在视角下讨论了其他最近发表的数据。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9909007,
title = {Zero-field spin splitting in InAs-AlSb quantum wells revisited},
author = {S. Brosig and K. Ensslin and R. J. Warburton and C. Nguyen and B. Brar and M. Thomas and H. Kroemer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9909007},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures, submitted to Phys. Rev. B