由AlSb势垒分隔的InAs/GaSb量子阱中巨Rashba自旋轨道相互作用主导的磁电容振荡
介观与纳米尺度物理
2024-04-26 v1
摘要
我们在由20 nm AlSb中间势垒分隔的InAs/GaSb量子阱中观察到了磁电容振荡。通过实现InAs中电子和GaSb层中空穴的独立欧姆接触，我们发现了电容中的面外振荡响应，代表了该系统的态密度。我们能够通过施加直流偏置电压来调节载流子密度，识别出正向偏置下拍频信号的形成。验证了两种可区分的二维载流子系统共存，且密度不相等。相应的朗道相图呈现出源自两种观测密度的不同特征。巨大的Rashba系数（范围430-612 meVÅ）和大g因子值突显了自旋轨道相互作用的影响。
引用
@article{arxiv.2404.16419,
title = {Magnetocapacitance oscillations dominated by giant Rashba spin orbit interaction in InAs/GaSb quantum wells separated by AlSb barrier},
author = {A. S. L. Ribeiro and R. Schott and C. Reichl and W. Dietsche and W. Wegscheider},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.16419},
year = {2024}
}