InAs/AlSb/GaSb半导体量子阱中的自旋态
介观与纳米尺度物理
2009-11-04 v2 其他凝聚态物理
摘要
我们通过自洽求解Kane模型和泊松方程，从理论上研究了InAs/AlSb/GaSb破隙量子阱中的自旋态。由于电子-空穴杂化，InAs/AlSb/GaSb量子阱中的自旋态与通过单带Rashba模型获得的自旋态截然不同。最低导带子带的Rashba自旋劈裂表现出振荡行为。D'yakonov-Perel'自旋弛豫时间随着费米波矢的增加而出现多个峰值。通过在InAs和GaSb层之间插入AlSb势垒，可以大大降低杂化程度。因此，通过改变AlSb势垒的厚度，可以显著调控自旋取向、自旋劈裂和D'yakonov-Perel'自旋弛豫时间。
引用
@article{arxiv.0812.5006,
title = {Spin states in InAs/AlSb/GaSb semiconductor quantum wells},
author = {Jun Li and Wen Yang and Kai Chang},
journal= {arXiv preprint arXiv:0812.5006},
year = {2009}
}
备注
11 pages, 9 figures